姓 名：余金中
性 别：男
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人物简介
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职务
现任职：中国科学院半导体研究所学术委员、研究生院研究员
曾任职：
简介
余金中，男，1943年8月生，湖北鄂州人。1960年毕业于大冶一中，1965年中国科学技术大学物理系毕业，1967年半导体研究所研究生毕业，师从王守武院士。1982－1983、1987、1990-1991年留学日本理化学研究所和大阪大学，师从难波进教授，获大阪大学工学博士学位。1992和2001年作为访问学者在美国硅谷和德国斯图加特大学工作和讲学。
余金中现任中国科学院半导体研究所学术委员、研究生院研究员，博士生导师。兼任浙江大学、山东大学、厦门大学、北京工业大学、华侨大学和河北大学兼职教授，《半导体光电子》、《飞通光电子技术》杂志编委。美国国际光子工程协会(SPIE)、中国光学学会会员和中国电子学会高级会员。
余金中长期从事半导体光电子学研究，目前着重研究硅基光电子集成、硅基光波导器件和SiGe/Si异质结和器件的生长、制备和特性表征。
主要学术业绩：
一、首先在国内实现了短波长激光器的长寿命工作，促进了我国光通信的起步发展。主持长波长激光器实用化研发，成功地转化为高技术产品。
二、开展低能量无损伤干法刻蚀研究，创新采用低能量大离子束流，实现了无损伤高速率刻蚀，为低阈值长寿命半导体激光器的研制奠定了重要基础。
三、1996年至今致力于硅基光电子学研究，合作设计加工出高水平的UHV/CVD系统，指导研究生外延出高质量SiGe/Si量子结构和器件，相关结果已被国外多次进行报道，并多次在国际会议上作邀请报告。
四、在国内率先主持开展SOI光波导研究，成功做出MMI耦合器和MZI热光型和电光型光开关，响应速度快，为国际先进水平。
获奖:
先后获中国科学院重大项目二等奖、科技进步二等奖和两次国家科技进步二等奖。1992年起享受国务院颁发的政府特殊津贴，2001年获中国科学院华为优秀研究生导师奖。发表论文150多篇，SCI和EI收录分别为55篇和43篇，被他人SCI引用60次,著作和译著各一本。培养硕士生3名、博士生15名。
完成/在研主要项目：
国家基金委重大项目“光子集成基础研究" 课题"IV族基能带工程材料和器件应用研究”（1998-2002）
国家基金委重大项目"WDM全光网基础研究"，课题"WDM全光网关键器件及基础材料研究"（1999-2003）
科技部973项目"支撑高速、大容量信息网络系统的光子集成基础研究" 课题"OXC关键集成器件及增益非线性与噪声动力学"（2001-2005）
科技部863项目"通信用光电子材料、器件与集成技术" 课题"硅基高速波导光开关及其集成技术" （2002-2005）
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(简历修改时间：2016-08-17)
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